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110dBEMI屏蔽材料電(dian)磁(ci)屏(ping)蔽HN230110dBEMI屏蔽材料電(dian)磁(ci)屏(ping)蔽HN230屏蔽底層膜(mo)采用有微(wei)針鋁(lv)箔(bo)的四層薄(bo)膜(mo)結(jie)構(gou)。是用於屏(ping)蔽高頻電(dian)磁(ci)波(bo)輻(fu)射(she)（HF）和低頻(pin)電(dian)場(chang)（LF）的(de)高性(xing)能高穩定(ding)度(du)的(de)屏蔽材料，屏蔽頻率(lv)範(fan)圍高達40GHz，屏蔽效(xiao)能(neng)高達111dB。
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