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        1. 產(chan)品(pin)展(zhan)示(shi)
          當前位(wei)置:首頁(ye) > 全部(bu)產(chan)品(pin) > EMC/EMI電磁(ci)兼容 > TEM小(xiao)室(shi) > TEM開(kai)放(fang)式(shi)橫(heng)電波小室(shi)TBTC2 100K-6G

          TEM開(kai)放(fang)式(shi)橫(heng)電波小室(shi)TBTC2 100K-6G

          分(fen)享(xiang)到(dao):

          TEM開(kai)放(fang)式(shi)橫(heng)電波小室(shi)TBTC2 100K-6G EMC電磁(ci)兼容輻(fu)射(she)騷(sao)擾測(ce)試(shi)或(huo)抗擾(rao)度測試(shi)通常(chang)在電磁(ci)屏蔽(bi)室(shi)中(zhong)進行,使(shi)用(yong)天線接(jie)收(shou)輻射(she)信(xin)號(hao)。由(you)於(yu)帶(dai)寬限(xian)制,需要(yao)多個(ge)天(tian)線才能覆(fu)蓋整(zheng)個(ge)頻(pin)率(lv)範圍。此外,屏(ping)蔽(bi)暗室需要(yao)很大(da)的(de)空間(jian)場地,並且(qie)用(yong)於標準(zhun)壹致(zhi)性測(ce)試(shi)的(de)設(she)備(bei)成(cheng)本很高。

          TEM開(kai)放(fang)式(shi)橫(heng)電波小室(shi)TBTC2 100K-6G 中(zhong)小型企(qi)業(ye)的(de)工程(cheng)師(shi)通常(chang)必(bi)須(xu)依靠(kao)工作(zuo)經(jing)驗(yan)和(he)最(zui)佳(jia)實(shi)踐方(fang)法(fa)來設(she)計(ji)符(fu)合EMC的產(chan)品(pin)。但是(shi),據估(gu)計,有超過(guo)50%的產(chan)品(pin)在測(ce)試(shi)中(zhong)未通過(guo)。當新(xin)產(chan)品(pin)送(song)至認(ren)證實(shi)驗(yan)室進行合規(gui)性測(ce)試(shi)時(shi),測(ce)試(shi)失(shi)敗(bai)具有非常(chang)高的(de)成(cheng)本,不僅(jin)重(zhong)新(xin)測試(shi)成(cheng)本,同時(shi)項目進(jin)度和(he)市(shi)場推廣(guang)也被推遲(chi)。
             
          因此(ci)需要的(de)是(shi)壹個(ge)價(jia)格(ge)合理的實(shi)驗(yan)室,可以在合規(gui)性測(ce)試(shi)之前(qian)工程(cheng)師(shi)自己(ji)在(zai)實(shi)驗(yan)室中(zhong)進行輻(fu)射(she)騷(sao)擾預(yu)測(ce)試(shi)。TEM單(dan)元是用(yong)於桌(zhuo)面(mian)輻(fu)射(she)騷(sao)擾測(ce)試(shi)的(de)設(she)備(bei),Tekbox開(kai)發(fa)的開(kai)放(fang)式(shi)TEM單(dan)元,頻(pin)率(lv)覆(fu)蓋高達(da)2GHz範圍,即使在更(geng)高的(de)頻(pin)率(lv)(6GHz)下也具有可用(yong)性。
             TEM
          單(dan)元可與頻(pin)譜分(fen)析儀(yi)結合使用(yong),可以對產(chan)品(pin)EMC相關(guan)的設(she)計(ji)修改前(qian)後(hou)對(dui)產(chan)品(pin)進行驗(yan)證測試(shi)。TEM Cell裝置無(wu)法(fa)得到(dao)與經(jing)過(guo)認證(zheng)的(de)實(shi)驗(yan)室測量相同(tong)的測量結果,但是(shi)它能很好的表明產(chan)品(pin)設(she)計(ji)是(shi)否有輻射(she)騷(sao)擾,工程(cheng)師(shi)將清楚(chu)地看(kan)到輻(fu)射(she)情(qing)況(kuang),它(ta)所(suo)做的(de)是產(chan)品(pin)更(geng)改(gai)是否(fou)改善了(le)EMC性能(neng),或(huo)者它是(shi)否(fou)保(bao)持(chi)不(bu)變。使(shi)用(yong)TEM單(dan)元消除了對產(chan)品(pin)輻射(she)騷(sao)擾的(de)猜測。

          TEM單(dan)元是用(yong)於電子(zi)設(she)備(bei)的(de)輻射(she)發射(she)和(he)抗擾(rao)度測試(shi)的(de)帶(dai)狀線設(she)備(bei)。由(you)於(yu)其尺寸(cun)和(he)成(cheng)本,它不(bu)是認(ren)證(zheng)測(ce)試(shi)實(shi)驗(yan)室的替代(dai)品(pin),它是(shi)在實(shi)驗(yan)室中(zhong)進行測(ce)量的便(bian)捷替代(dai)方(fang)法(fa)。

          TEM單(dan)元由(you)隔(ge)板,中(zhong)間(jian)部分(fen)的導(dao)電條(tiao)和(he)接(jie)地的壁組(zu)成(cheng)。呈現(xian)為(wei)幾(ji)何形(xing)狀設(she)計(ji)的(de)50Ω帶(dai)狀線。被(bei)測設(she)備(bei)(DUT)放(fang)置(zhi)在(zai)底壁和(he)隔(ge)板(ban)之間(jian)。

          技術(shu)指(zhi)標

          TBTC2

          長度

          636 mm

          寬度

          300 mm

          高度

          205 mm

          隔(ge)墊(dian)高度

          100 mm

          隔(ge)墊(dian)下方矩形(xing)區(qu)域(yu)尺寸(cun)

          23×28×10 cm

          連(lian)接(jie)器

          N-母(mu)

          單(dan)元阻抗

          50歐(ou)

          阻抗

          377歐(ou)

          最(zui)大(da)射(she)頻(pin)輸入功(gong)率(lv)

          25W (受(shou)提(ti)供50端接空(kong)限制)

          輸入回(hui)波損耗

          S11 @ 800MHz-15dB1.5G-10dB

          3G-8dB

          傳輸損耗

          800MHz1dB, 1.15G3dB


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