TBHPF1高(gao)通(tong)濾波器 150K-3G
LISN射(she)頻輸(shu)出處的(de)殘余50 Hz電(dian)壓(ya):
LISN的(de)DUT端子(zi)上(shang)存在全交(jiao)流電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)。RF耦(ou)合(he)電(dian)容器和(he)1K電(dian)阻(zu)器形(xing)成(cheng)分(fen)壓(ya)器,分(fen)壓(ya)器確(que)定(ding)RF連(lian)接器處(chu)50Hz電(dian)壓(ya)的(de)幅(fu)度(du)。
TBHPF1高(gao)通(tong)濾(lv)波器 150K-3G 考(kao)慮(lv)0.1μF電(dian)容器,其在50 Hz時(shi)的(de)阻抗(kang)為32K。與(yu)1K電(dian)阻(zu)器壹(yi)起(qi),在沒有(you)任(ren)何負載(zai)的(de)情況下(xia),LISN的(de)RF端(duan)子(zi)處(chu)產生(sheng)的(de)50Hz電(dian)壓(ya)約為6.6V。假(jia)設50歐(ou)姆(mu)負載(zai)與(yu)1K電(dian)阻(zu)器並(bing)聯(lian),剩(sheng)余50 Hz電(dian)壓(ya)將變(bian)得(de)可忽(hu)略不(bu)計。
壹(yi)些(xie)LISN可能(neng)需要(yao)使(shi)用更高的(de)值,以(yi)滿(man)足較低頻率(lv)下的(de)阻抗(kang)規範。假(jia)設電(dian)容器為0.5μF,LISN射(she)頻端(duan)的(de)殘余50Hz電(dian)壓(ya)將高(gao)達31V。如果存在與(yu)1K電(dian)阻(zu)器並(bing)聯(lian)的(de)50歐姆(mu)負載(zai),則(ze)這仍(reng)然(ran)會(hui)降(jiang)低到(dao)可忽(hu)略的(de)值。
然(ran)而(er),低成本分(fen)析儀(yi)不(bu)太(tai)可能(neng)在50Hz時(shi)具有(you)50歐(ou)姆(mu)的(de)輸(shu)入阻抗(kang)。通常(chang),對於低於9kHz的(de)頻率(lv),不(bu)輸(shu)入阻抗(kang)。此外,如前所述(shu),低成本分(fen)析儀(yi)在RF輸(shu)入端使用GaAs開(kai)關(guan),這在低頻率(lv)下是(shi)固有(you)的(de)。
因(yin)此,在頻譜(pu)分(fen)析儀(yi)或(huo)測(ce)量(liang)接收器的(de)RF輸(shu)入處放(fang)置9 kHz高通(tong)濾波器或(huo)150 kHz高(gao)通(tong)濾波器將提(ti)供對(dui)50 Hz殘(can)余電(dian)壓(ya)的(de)良好(hao)保護(hu)。由(you)於其在通帶(dai)中的(de)插入(ru)損(sun)耗(hao)非(fei)常低,因(yin)此不(bu)會(hui)減小測(ce)量(liang)的(de)動態(tai)範圍(wei)。
技術指(zhi)標:
n 50歐(ou)姆(mu)反(fan)射(she)式高(gao)通(tong)濾波器
n 3dB帶(dai)寬(kuan):150KHz – 3GHz
n 最(zui)大(da)輸(shu)入電(dian)壓(ya):100V , 250V@持(chi)續(xu)時(shi)間<5s
n 頻(pin)率(lv)小於(yu)150KHz和(he)開(kai)路(lu)輸(shu)出時(shi)最大(da)允許輸(shu)入電(dian)流:650 mA
n 最(zui)大(da)輸(shu)入功(gong)率(lv):10W @ 300KHz – 3GHz
n 接口:N型
n 尺(chi)寸(cun):26×26×82 mm
n 重(zhong)量:約100 g
上(shang)壹(yi)篇(pian):TBJT01寬(kuan)帶(dai)註入變(bian)壓(ya)器10Hz-45M
下(xia)壹(yi)篇(pian):TBFL1限(xian)幅(fu)器9K-600M
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