TEM開(kai)放式(shi)橫(heng)電波(bo)小室TBTC用(yong)於(yu) EMC電磁(ci)兼(jian)容(rong)輻射騷擾測(ce)試(shi)或抗擾度(du)測(ce)試(shi)通常在電磁(ci)屏(ping)蔽(bi)室(shi)中(zhong)進(jin)行，使用(yong)天線接收輻射信號(hao)。由於帶(dai)寬限(xian)制，需要(yao)多(duo)個(ge)天線才能(neng)覆蓋整(zheng)個(ge)頻(pin)率範(fan)圍(wei)。此(ci)外(wai)，屏蔽(bi)暗(an)室需要(yao)很(hen)大的空間(jian)場(chang)地，並且用於(yu)標(biao)準(zhun)壹(yi)致(zhi)性測(ce)試(shi)的設備成本(ben)很(hen)高(gao)。
因此(ci)需要(yao)的是壹(yi)個(ge)價格合理的實(shi)驗室，可以(yi)在合規(gui)性測(ce)試(shi)之前工程師自(zi)己(ji)在實(shi)驗室中(zhong)進(jin)行輻射騷擾預(yu)測(ce)試(shi)。TEM單元(yuan)是用(yong)於桌(zhuo)面(mian)輻射騷擾測(ce)試(shi)的設備，Tekbox開發(fa)的開放式(shi)TEM單元(yuan)，頻(pin)率覆蓋高(gao)達(da)2GHz範(fan)圍(wei)，即使在更高(gao)的頻(pin)率（6GHz）下(xia)也(ye)具(ju)有(you)可用(yong)性(xing)。
TEM開放式(shi)橫(heng)電波(bo)小室TBTC TEM單(dan)元(yuan)是用(yong)於電子(zi)設備的輻射發(fa)射和抗(kang)擾度(du)測(ce)試(shi)的帶(dai)狀(zhuang)線設備。由於其尺寸和(he)成本(ben)，它(ta)不(bu)是(shi)認證(zheng)測(ce)試(shi)實(shi)驗室的替代(dai)品，它(ta)是(shi)在實(shi)驗室中(zhong)進(jin)行測(ce)量(liang)的便(bian)捷(jie)替代(dai)方法(fa)。
TBTC1 / 2/3是(shi)開(kai)放式(shi)TEM單元(yuan)，它(ta)沒(mei)有(you)側(ce)壁，便(bian)於放置DUT。沒(mei)有(you)側(ce)壁可能(neng)會(hui)拾(shi)取(qu)環境背景(jing)噪聲(sheng)，但(dan)是(shi)可以(yi)通(tong)過(guo)在DUT上電之(zhi)前(qian)對(dui)單(dan)元(yuan)輸(shu)出(chu)信號進(jin)行測(ce)量(liang)環境噪音(yin)來(lai)將其考慮(lv)在內(nei)。
TEM開(kai)放式(shi)橫(heng)電波(bo)小室TBTC所(suo)有(you)TEM單元(yuan)都提(ti)供50Ω/25W射頻(pin)終(zhong)端(duan)負(fu)載和直流(liu)塊，用(yong)於(yu)保(bao)護(hu)頻(pin)譜分(fen)析(xi)儀或接收機輸(shu)入
應用(yong)：
輻射幹擾測(ce)試(shi)
抗(kang)擾度(du)測(ce)試(shi)
TEM和(he)場(chang)強
TBTC0，應用(yong)射頻(pin)功率(lv) | 隔(ge)板(ban)與壁(bi)之(zhi)間(jian)最(zui)大的場(chang)強 |
10W（40dBm） | 799 V/m |
1W（30dBm） | 253 V/m |
0.1W（20dBm） | 82 V/m |
0.01W（10dBm） | 25 V/m |
TBTC0 ,場(chang)強與射頻(pin)功率(lv)
TBTC1，應用(yong)射頻(pin)功率(lv) | 隔(ge)板(ban)與壁(bi)之(zhi)間(jian)最(zui)大的場(chang)強 |
10W（40dBm） | 447 V/m |
1W（30dBm） | 141 V/m |
0.1W（20dBm） | 44 V/m |
0.01W（10dBm） | 14 V/m |
TBTC1 ,場(chang)強與射頻(pin)功率(lv)
TBTC2，應用(yong)射頻(pin)功率(lv) | 隔(ge)板(ban)與壁(bi)之(zhi)間(jian)最(zui)大的場(chang)強 |
10W（40dBm） | 224 V/m |
1W（30dBm） | 71 V/m |
0.1W（20dBm） | 22 V/m |
0.01W（10dBm） | 7 V/m |
TBTC2 ,場(chang)強與射頻(pin)功率(lv)
TBTC3，應用(yong)射頻(pin)功率(lv) | 隔(ge)板(ban)與壁(bi)之(zhi)間(jian)最(zui)大的場(chang)強 |
10W（40dBm） | 148 V/m |
1W（30dBm） | 47 V/m |
0.1W（20dBm） | 14 V/m |
0.01W（10dBm） | 5 V/m |
TBTC3 ,場(chang)強與射頻(pin)功率(lv)
