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M2低(di)頻磁場屏(ping)蔽(bi)材料5Hz-100KHz

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M2低頻磁場屏(ping)蔽(bi)材料5Hz-100KHz

M2低頻磁場屏(ping)蔽(bi)材料5Hz-100KHz是(shi)深(shen)圳國測(ce)電子(zi)公司生(sheng)產(chan)的(de)新型磁場屏(ping)蔽(bi)膜(mo)，由非(fei)晶(jing)鈷(gu)合金制成(cheng)，用(yong)於屏蔽(bi)低頻交(jiao)流磁場，也(ye)可以(yi)屏蔽(bi)低頻電場(chang)（LF）和高頻電場(chang)（HF）。

M2是(shi)壹(yi)種雙(shuang)層(ceng)超薄磁場屏(ping)蔽(bi)箔，用(yong)於屏蔽(bi)低頻磁場。具(ju)有高(gao)耐(nai)磨(mo)性(xing)的(de)雙(shuang)面(mian)覆膜(mo)，適(shi)用(yong)於汽車(che)電子、航空航天、電(dian)子(zi)電(dian)氣等(deng)行業(ye)，也(ye)可(ke)低(di)成(cheng)本(ben)用(yong)於屋頂(ding)或(huo)地板結構(gou)的(de)中間(jian)層(ceng)。對(dui)於(yu)簡(jian)單(dan)屏蔽(bi)，單(dan)層(ceng)就足夠了；對(dui)於高(gao)磁通密(mi)度，可以(yi)使用(yong)許多層(ceng)。100米(mi)的(de)卷筒(tong)長度對於大(da)型(xing)表面的(de)高效鋪(pu)設(she)尤(you)為(wei)有(you)利。

施工處理

施工鋪(pu)設(she)：鋪(pu)設(she)時(shi)保留大(da)於3cm重疊，壹(yi)定(ding)要(yao)考慮(lv)沒(mei)有(you)縫隙. 屏(ping)蔽(bi)膜(mo)的(de)邊緣非(fei)常(chang)鋒(feng)利，需要(yao)註(zhu)意(yi)安全(quan).

表面粘合：粘性(xing)非(fei)常(chang)好的(de)粘合劑固(gu)定(ding)、砌墻(qiang)施工、螺栓(shuan)固(gu)定(ding)、釘(ding)定(ding)固(gu)定(ding)等(deng)，需要(yao)接(jie)地。

規格                                                                                         

u  名(ming)      稱(cheng)：磁場屏(ping)蔽(bi)膜(mo)

u  型(xing)      號(hao)：M2

u  頻率範(fan)圍：低(di)頻磁場：10Hz-100KHz

u  屏(ping)蔽(bi)衰減：10-22dB @ 磁場 

u  寬(kuan)    度：23 cm@總產(chan)品，21cm@屏(ping)蔽(bi)層(ceng)

u  長    度：用(yong)戶要(yao)求（100m/卷）

u  磁場屏(ping)蔽(bi)：12.1dB@單(dan)層(ceng)；16.3dB@雙(shuang)層(ceng)；19.5dB@三層(ceng) 21.7dB@四層(ceng)

u  磁場（靜(jing)態(tai)）：DC直(zhi)流(liu)、地磁場、磁場腔(qiang)體@需要(yao)很多層(ceng)

u  最(zui)小(xiao)彎曲(qu)半徑：10mm

u  厚    度：0.12mm

u  接(jie)    地：是(shi)